ADATA DDR2 800 DIMM 2Gb

1 модуль памяти d d r2, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 800 м гц, радиатор,

ADATA DDR3 1333 DIMM 2Gb

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1333 м гц, c a s latency ( c l) 9,

ADATA DDR3 1600 DIMM 2Gb

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

ADATA DDR3 1600 DIMM 4Gb

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 4 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

ADATA DDR3 1600 SO-DIMM 2Gb

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

ADATA DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb

1 модуль памяти d d r3 l, объем модуля 4 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

AMD R322G805U2S-UGO

1 модуль памяти d d r2, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 800 м гц, c a s latency ( c l) 5,

AMD R332G1339S1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1333 м гц, c a s latency ( c l) 9,

AMD R332G1339U1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1333 м гц, c a s latency ( c l) 9,

AMD R334G1339U1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 4 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1333 м гц, c a s latency ( c l) 9,

AMD R532G1601S1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц,

AMD R532G1601S1SL-UO

1 модуль памяти d d r3 l, объем модуля 2 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

AMD R532G1601U1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 2 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

AMD R534G1601S1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 4 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц,

AMD R534G1601S1SL-UO

1 модуль памяти d d r3 l, объем модуля 4 гб, форм фактор s o d i m m, 204 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,

AMD R534G1601U1S-UO

1 модуль памяти d d r3, объем модуля 4 гб, форм фактор d i m m, 240 контактный, частота 1600 м гц, c a s latency ( c l) 11,